Mémoire flash, Parallèle NAND SLC, 2 Go Winbond 25 μs, 63 broches, VFBGA

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Code commande RS:
188-2874
Référence fabricant:
W29N02GZBIBA
Marque:
Winbond
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Marque

Winbond

Type de produit

Mémoire flash

Taille de la mémoire

2Go

Type d'interface

Parallèle

Type de Boitier

VFBGA

Nombre de broches

63

Type de montage

Surface

Type de cellule

NAND SLC

Tension d'alimentation minimum

1.7V

Tension d'alimentation maximum

1.95V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Normes/homologations

No

Hauteur

0.6mm

Longueur

11.1mm

Nombre de bits par mot

8

Standard automobile

Non

Courant d'alimentation

20mA

Temps d'accès aléatoire maximum

25μs

Série

W29N02GZ

Nombre de mots

256M

Densité : 2 Gbit (solution à puce unique)

Vcc : 1,7 à 1,95 V.

Largeur du bus : x8 x 16

Température d'utilisation

Applications industrielles : -40 à +85 °C

Industrial Plus : -40 à 105 °C.

Technologie SLC (Single-Level Cell).

Organisation

Densité : 2 Go/256 Mo

Taille de page

2 112 octets (2 048 + 64 octets)

1 056 mots (1 024 + 32 mots)

Taille de bloc

64 pages (128 K + 4 K octets)

64 pages (64 K + 2 K mots)

Hautes performances

Performances de lecture (max.)

Lecture aléatoire : 25 us

Cycle de lecture séquentiel : 25 ns

Performances d'effacement d'écriture

Durée du programme de page : 250 us (typ.)

Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)

Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)

Conservation des données pendant 10 ans

Jeu de commandes

Commande NAND standard

Commande supplémentaire Suppo

Copie arrière

Fonctionnement en deux plans

Contact Winbond pour OTP f

Contact Winbond pour bloc

Consommation électrique la plus faible

Lecture : 13 mA (typ.)

Programmation/effacement : 10 mA (typ.)

Veille CMOS : 10 uA (typ.)

Emballage à gain de place

TSOP1 standard à 48 broches

VFBGA 63 billes

Mémoire Flash NAND SLC de 2 Go avec taille de page uniforme de 2 ko + 64 B.

Largeur de bus : x8

Lecture aléatoire : 25 us

Durée du programme de page : 250 us (typ.)

Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)

Prise en charge de la zone de mémoire OTP

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