Mémoire flash, SPI NOR, 512 MB Infineon, 64 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 273-5397
- Référence fabricant:
- S25FL512SAGBHI210
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 338 unités)*
2 209,168 €
HT
2 650,934 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 338 + | 6,536 € | 2 209,17 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-5397
- Référence fabricant:
- S25FL512SAGBHI210
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Taille de la mémoire | 512MB | |
| Type d'interface | SPI | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 64 | |
| Configuration | 64MB | |
| Fréquence d'horloge maximum | 133MHz | |
| Type de cellule | NOR | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Série | S25FL512S | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Taille de la mémoire 512MB | ||
Type d'interface SPI | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 64 | ||
Configuration 64MB | ||
Fréquence d'horloge maximum 133MHz | ||
Type de cellule NOR | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Série S25FL512S | ||
La mémoire Flash d'Infineon offre des densités élevées couplées à la flexibilité et aux performances rapides requises par une grande variété d'applications intégrées. Il est idéal pour l'ombrage de code, XIP et le stockage de données. L'exécution de code directement à partir de la mémoire Flash est souvent appelée « Execute in Place » ou XIP. En utilisant des dispositifs FL S aux vitesses d'horloge plus élevées prises en charge, avec les commandes QIO ou DDR QIO, la vitesse de transfert de lecture d'instructions peut correspondre ou dépasser l'interface parallèle traditionnelle, les mémoires flash asynchrones NOR tout en réduisant considérablement le nombre de signaux.
Boîtier sans plomb
SPI avec plusieurs E/S
Protection secteur avancée
20 ans minimum de conservation des données
Noyau CMOS 3 V avec E/S polyvalent
100 000 cycles de programmation et d'effacement minimum