Mémoire flash, SPI NOR, 512 Mo Infineon, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 273-5425
- Référence fabricant:
- S25HL512TFAMHI010
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 240 unités)*
1 212,48 €
HT
1 454,88 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 240 + | 5,052 € | 1 212,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-5425
- Référence fabricant:
- S25HL512TFAMHI010
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 512Mo | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Type d'interface | SPI | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Fréquence d'horloge maximum | 166MHz | |
| Type de cellule | NOR | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Normes/homologations | ISO26262 ASIL B and ASIL D ready | |
| Standard automobile | AEC-Q100 classe 1 | |
| Courant d'alimentation | 53mA | |
| Série | SEMPER Flash | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 512Mo | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Type d'interface SPI | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Fréquence d'horloge maximum 166MHz | ||
Type de cellule NOR | ||
Tension d'alimentation minimum 1.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Normes/homologations ISO26262 ASIL B and ASIL D ready | ||
Standard automobile AEC-Q100 classe 1 | ||
Courant d'alimentation 53mA | ||
Série SEMPER Flash | ||
La mémoire Flash d'Infineon est une famille de produits Quad SPI qui est dotée de périphériques Flash CMOS haute vitesse, MIRRORBITTM NOR. Cette mémoire flash est conçue pour la sécurité fonctionnelle avec le développement conformément à la norme ISO 26262 pour atteindre la conformité ASIL B et la disponibilité ASIL D. Les opérations de lecture à partir du dispositif sont orientées vers l'éclatement. Les transactions de lecture peuvent être configurées pour utiliser une éruption enveloppée ou linéaire. Les éclaboussures enveloppées sont lues à partir d'une seule page, tandis que les éclaboussures linéaires peuvent lire l'ensemble du tableau de mémoire.
Protection des blocs d'héritage
L'option SDR fonctionne jusqu'à 21 Mo/s
Matrice en silicium sécurisée OTP de 1 024 octets
Paramètres détectables par flash en série
Minimum de 100 000 cycles de programmation et d'effacement