GL-T MIRRORBITTM Flash parallèle, Parallèle NOR, 1 Go Infineon 130 ns, 48 broches, TSOP-56

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Code commande RS:
273-5429
Référence fabricant:
S29GL01GT10FHI010
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Taille de la mémoire

1Go

Type de produit

GL-T MIRRORBITTM Flash parallèle

Type d'interface

Parallèle

Type de Boitier

TSOP-56

Nombre de broches

48

Fréquence d'horloge maximum

5MHz

Type de cellule

NOR

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Type de timing

Asynchrone

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Normes/homologations

No

Temps d'accès aléatoire maximum

130ns

Série

S29GL

Standard automobile

AEC-Q100 Grade 2 et 3

Courant d'alimentation

100mA

Nombre de bits par mot

16

La mémoire Flash d'Infineon est fabriquée sur la technologie de procédé 45 nm. Ces dispositifs offrent un temps d'accès à la page rapide jusqu'à 15 ns, avec un temps d'accès aléatoire correspondant jusqu'à 100 ns. Ils sont dotés d'un tampon d'écriture qui permet de programmer un maximum de 256 mots ou 512 octets en une seule opération, ce qui se traduit par un temps de programmation efficace plus rapide que les algorithmes de programmation standard.

20 ans de conservation des données

Protection secteur avancée

Tampon de programmation de 512 octets

100 000 cycles de programmation et d'effacement

Lecture de page asynchrone de 32 octets

Tableau des paramètres d'interface Flash commune

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