Mémoire flash, SPI NOR, 128 Mo Infineon, 8 broches, SOIC

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Code commande RS:
273-7480
Référence fabricant:
S25FL127SABMFI100
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Mémoire flash

Taille de la mémoire

128Mo

Type d'interface

SPI

Type de Boitier

SOIC

Nombre de broches

8

Fréquence d'horloge maximum

108MHz

Type de cellule

NOR

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

105°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q100 Grade 2 et 3

Série

S25FL127S

Courant d'alimentation

50mA

La mémoire Flash d'Infineon offre des densités élevées couplées à la flexibilité et aux performances rapides requises par une grande variété d'applications mobiles ou intégrées. Il est idéal pour l'ombrage de code, XIP et le stockage de données. L'exécution de code directement à partir de la mémoire flash est souvent appelée « execute in place ». En utilisant des dispositifs FL-S aux vitesses d'horloge plus élevées prises en charge, avec la commande QIO, la vitesse de transfert de lecture d'instructions peut correspondre ou dépasser l'interface parallèle traditionnelle, les mémoires flash asynchrones NOR tout en réduisant considérablement le nombre de signaux.

Noyau CMOS 3,0 V

20 ans minimum de conservation des données

Minimum de 100 000 cycles d'effacement de programme

Options de commande de matériel et de logiciel

Polarité d'horloge SPI et modes de phase 0 et 3

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