Flash SPI FL-S Multi-E/S, SPI NOR, 128 Mo Infineon, 16 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 273-7494
- Référence fabricant:
- S25FL128SAGMFM000
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 240 unités)*
1 016,40 €
HT
1 219,68 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 240 + | 4,235 € | 1 016,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-7494
- Référence fabricant:
- S25FL128SAGMFM000
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 128Mo | |
| Type de produit | Flash SPI FL-S Multi-E/S | |
| Type d'interface | SPI | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Fréquence d'horloge maximum | 133MHz | |
| Type de cellule | NOR | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | S25FL | |
| Courant d'alimentation | 100mA | |
| Standard automobile | AEC-Q100 classe 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 128Mo | ||
Type de produit Flash SPI FL-S Multi-E/S | ||
Type d'interface SPI | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 16 | ||
Fréquence d'horloge maximum 133MHz | ||
Type de cellule NOR | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Normes/homologations No | ||
Série S25FL | ||
Courant d'alimentation 100mA | ||
Standard automobile AEC-Q100 classe 1 | ||
La mémoire Flash d'Infineon offre des densités élevées couplées à la flexibilité et aux performances rapides requises par une grande variété d'applications mobiles ou intégrées. Il est idéal pour l'ombrage de code, XIP et le stockage de données. L'exécution de code directement à partir de la mémoire flash est souvent appelée « execute in place » ou XIP. En utilisant des dispositifs FL-S aux vitesses d'horloge plus élevées prises en charge, avec les commandes QIO ou DDR QIO, la vitesse de transfert de lecture d'instructions peut correspondre ou dépasser l'interface parallèle traditionnelle, les mémoires flash asynchrones NOR tout en réduisant considérablement le nombre de signaux.
Protection secteur avancée
Noyau CMOS 3,0 V avec E/S polyvalente
20 ans minimum de conservation des données
Minimum de 100 000 cycles d'effacement de programme
Polarité d'horloge SPI et modes de phase 0 et 3