FRAM AEC-Q100, Parallèle Infineon, 256 ko, 32K x 8 bits 70 ns 85 °C -40 °C, 28 broches, SOIC

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Référence fabricant:
FM18W08-SG
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

FRAM

Taille de la mémoire

256ko

Configuration

32K x 8 bits

Type d'interface

Parallèle

Largeur de bus de données

8bit

Temps d'accès aléatoire maximum

70ns

Fréquence d'horloge maximum

1MHz

Type de montage

En surface

Type de Boitier

SOIC

Nombre de broches

28

Normes/homologations

No

Hauteur

2.37mm

Largeur

7.62mm

Longueur

18.11mm

Température d'utilisation maximum

85°C

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Nombre de bits par mot

8

Nombre de mots

32k

Standard automobile

AEC-Q100

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Tension d'alimentation minimum

2.7V

FRAM, Cypress Semiconductor


La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.

Mémoire vive ferroélectrique non volatile

Vitesse d'écriturerapide

Enduranceélevée

Faible consommation électrique

FRAM (RAM ferroélectrique)


La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.

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