Mémoire FRAM, FM18W08-SG, 256Kbit, 32K x 8 bits, Parallèle, SOIC, 28 broches, 5,5 V

La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.

Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique

Mémoire d'accès aléatoire ferroélectrique (F-RAM) 256 kbits organisée de façon logique en 32 K x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Compatible SRAM et EEPROM
Brochage SRAM 32 K x 8 et EEPROM standard
Temps d'accès de 70 ns, temps de cycle de 130 ns
Supérieur aux modules SRAM à batterie de secours
Aucun problème de batterie
Fiabilité monolithique
Véritable solution de montage en surface, pas de pas de pas de réusinage
Supérieure pour l'humidité, les chocs et les vibrations
Résistant aux sous-tensions négatives
Faible consommation électrique
Courant actif 12 mA (max.)
Courant de veille 20 μA (typ)
Fonctionnement à large tension : VDD = 2,7 à 5,5 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Petit boîtier de circuit intégré (SOIC) à 28 broches

FRAM (RAM ferroélectrique)

La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.