FRAM AEC-Q100, I2C 2 fils Infineon, 256 kB, 32K x 8 Bit 3000 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 188-5407
- Référence fabricant:
- FM24W256-G
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 3,864 € | 374,81 € |
| 194 - 194 | 3,474 € | 336,98 € |
| 291 - 485 | 3,454 € | 335,04 € |
| 582 - 970 | 3,234 € | 313,70 € |
| 1067 + | 3,15 € | 305,55 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 188-5407
- Référence fabricant:
- FM24W256-G
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 256ko | |
| Type de produit | FRAM | |
| Type d'interface | I2C 2 fils | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 3000ns | |
| Type de montage | Surface | |
| Fréquence d'horloge maximum | 1MHz | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Hauteur | 1.38mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 4.97mm | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Nombre de mots | 32k | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 256ko | ||
Type de produit FRAM | ||
Type d'interface I2C 2 fils | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 3000ns | ||
Type de montage Surface | ||
Fréquence d'horloge maximum 1MHz | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Hauteur 1.38mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 4.97mm | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Nombre de mots 32k | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
- Pays d'origine :
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (RAM ferroélectrique)
La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.