Mémoire FRAM, CY15V104QN-20LPXI, 4Mbit, 512K x 8 bits, Série-SPI, GQFN, 8 broches, 1,89 V

Faible consommation, non volatilémoire 4 Mbits utilisant un processus ferroélectrique Advanced. Une mémoire vive ferro-électrique ou F-RAM est non volatile et exécute des lectures et des écritures similaires à une RAM. Il fournit une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les problèmes de surcharge et de fiabilité au niveau du système causés par la mémoire Flash série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles. Aucun retard d'écriture n'est engagé. Les données sont écrites dans la matrice de mémoire immédiatement après le transfert de chaque octet vers le dispositif. Le prochain cycle de bus peut commencer sans avoir besoin d'interrogation des données. En outre, le produit offre une grande endurance en écriture par rapport à d'autres mémoires non volatiles. Capable de prendre en charge 1 015 cycles de lecture/écriture, ou 1 000 millions de cycles de morewrite par rapport à l'EEPROM. Idéal pour les applications de mémoire non volatile, nécessitant des écritures fréquentes ou Rapid. Fournit d'importants avantages aux utilisateurs d'EEPROM série ou de mémoire Flash comme remplacement matériel. Utilise le bus SPI haut débit, ce qui améliore la capacité d'écriture haute vitesse de la technologie F-RAM.