FRAM AEC-Q100, SPI Infineon, 2 Mo, 256K x 8 bits 9 ns 125 °C -40 °C, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 188-3437
- Référence fabricant:
- CY15V102QN-50SXE
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 94 - 94 | 17,959 € | 1 688,15 € |
| 188 - 188 | 17,492 € | 1 644,25 € |
| 282 + | 17,043 € | 1 602,04 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 188-3437
- Référence fabricant:
- CY15V102QN-50SXE
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 2Mo | |
| Type de produit | FRAM | |
| Configuration | 256K x 8 bits | |
| Type d'interface | SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 9ns | |
| Fréquence d'horloge maximum | 50MHz | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Largeur | 5.3mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.3mm | |
| Hauteur | 1.78mm | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.89V | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.71V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Nombre de mots | 256K | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 2Mo | ||
Type de produit FRAM | ||
Configuration 256K x 8 bits | ||
Type d'interface SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 9ns | ||
Fréquence d'horloge maximum 50MHz | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Largeur 5.3mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.3mm | ||
Hauteur 1.78mm | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Tension d'alimentation maximum 1.89V | ||
Tension d'alimentation minimum 1.71V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Nombre de mots 256K | ||
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 2 Mbits est organisée de façon logique en 256 K x 8
Endurance pratiquement illimitée de 10 billions (1 013) de cycles de lecture/écriture
Conservation des données 121 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) rapide
Fréquence jusqu'à 50 MHz
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable (WRDI)
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
ID de périphérique et numéro de série
L'ID du dispositif inclut l'ID du fabricant et l'ID du produit
ID unique
Numéro de série
Mémoire F-RAM dédiée à 256 octets de secteur spécial
Écriture et lecture de secteur spécial dédiées
Le contenu stocké peut résister à 3 cycles de soudure par refusion standard
Faible consommation d'énergie
Courant actif de 3,7 mA (typ) à 40 MHz
Courant de veille de 2,7 μA (typ)
Courant de mode de mise hors tension profonde de 1,1 μA (typ)
Courant en mode Hibernation 0,1 μA (typ)
Fonctionnement basse tension :
CY15V102QN : VDD = 1,71 à 1,89 V.
CY15B102QN : VDD = 1,8 à 3,6 V.
Température d'utilisation automobile : -40 à +125 °C.
Conforme AEC-Q100 classe 1
Boîtier SOIC (Small Outline Integrated Circuit) 8 broches