FRAM AEC-Q100, SPI Infineon, 2 Mo, 256 Ko x 8 bits 11 ns 105 °C -40 °C, 8 broches, DFN
- Code commande RS:
- 181-1599
- Référence fabricant:
- FM25V20A-DGQ
- Marque:
- Infineon
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|---|---|
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| 5 - 24 | 22,67 € |
| 25 + | 20,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 181-1599
- Référence fabricant:
- FM25V20A-DGQ
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 2Mo | |
| Configuration | 256 Ko x 8 bits | |
| Type d'interface | SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 11ns | |
| Type de montage | En surface | |
| Fréquence d'horloge maximum | 40MHz | |
| Type de Boitier | DFN | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 700μm | |
| Largeur | 6mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Température d'utilisation maximum | 105°C | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Nombre de mots | 256K | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 2Mo | ||
Configuration 256 Ko x 8 bits | ||
Type d'interface SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 11ns | ||
Type de montage En surface | ||
Fréquence d'horloge maximum 40MHz | ||
Type de Boitier DFN | ||
Nombre de broches 8 | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 700μm | ||
Largeur 6mm | ||
Longueur 5mm | ||
Température d'utilisation maximum 105°C | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Nombre de mots 256K | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Tension d'alimentation minimum 2V | ||
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 2 Mbits est logique
Organisé en 256 K x 8
Lecture/écriture haute endurance 10 billions (1014)
Conservation des données 121 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 33 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
ID du dispositif
ID du fabricant et ID du produit
Faible consommation électrique
Courant actif de 3 mA à 33 MHz
Courant de veille de 400 A.
Courant de mode veille 12⁄A
Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V.
Température étendue : -40 à +105 °C.
Boîtier plat double sans câble (DFN) fin à 8 broches