Mémoire FRAM, CY15B104QN-50SXI, 4Mo, 512 K x 8, SPI, SOIC, 8 broches

Code commande RS:: 266-8508
Référence fabricant:: CY15B104QN-50SXI
Marque:: Infineon

Mémoire FRAM, CY15B104QN-50SXI, 4Mo, 512 K x 8, SPI, SOIC, 8 broches

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Code commande RS:: 266-8508
Référence fabricant:: CY15B104QN-50SXI
Marque:: Infineon

Documentation technique

Datasheet - CY15B104QN-50SXI

Législation et Conformité

Pays d'origine :: US

Détail produit

La RAM Ferroelectric d'Infineon est non volatile et effectue des opérations de lecture et d'écriture semblables à celles d'une RAM. Il permet une conservation fiable des données pendant 151 ans tout en éliminant la complexité, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par le flash série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.

RAM secteur spécial F dédiée de 256 octets
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Interface de périphérique série rapide
Faible consommation
Fonctionnement basse tension

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Taille mémoire	4Mo
Configuration	512 K x 8
Type d'interface	SPI
Type de boîtier	SOIC
Nombre de broches	8

Mémoire FRAM, CY15B104QN-50SXI, 4Mo, 512 K x 8, SPI, SOIC, 8 broches

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Caractéristiques techniques

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