FRAM AEC-Q100 grade 1, Série SPI Infineon, 16 ko, 2 K x 8 bits 125 °C -40 °C, 8 broches, SOIC-8
- Code commande RS:
- 273-7314
- Référence fabricant:
- CY15B016Q-SXE
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 273-7314
- Référence fabricant:
- CY15B016Q-SXE
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 16ko | |
| Configuration | 2 K x 8 bits | |
| Type d'interface | Série SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 16MHz | |
| Type de Boitier | SOIC-8 | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Tension d'alimentation minimum | 3V | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Nombre de mots | 2k | |
| Standard automobile | AEC-Q100 grade 1 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 16ko | ||
Configuration 2 K x 8 bits | ||
Type d'interface Série SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 16MHz | ||
Type de Boitier SOIC-8 | ||
Nombre de broches 8 | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Tension d'alimentation minimum 3V | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Nombre de mots 2k | ||
Standard automobile AEC-Q100 grade 1 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
La FRAM d'Infineon est une mémoire non volatile de 16 Kbits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire ferroélectrique à accès aléatoire (FRAM) est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à celles d'une mémoire vive (RAM). Il permet une conservation fiable des données pendant 121 ans tout en éliminant la complexité, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par le flash série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.
Conforme à la directive RoHS
Fonctionnement basse tension
Faible consommation d'énergie
Conforme à AEC Q100 classe 1
Schéma sophistiqué de protection en écriture
Protection logicielle à l'aide d'une instruction de désactivation en écriture
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