Puce mémoire SRAM CMS Infineon 4Mbit 512k x 16 bits SOJ 36 broches
- Code commande RS:
- 182-3295
- Référence fabricant:
- CY7C1049GN-10VXI
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en tube de 19)
6,668 €
HT
8,002 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
---|---|---|
19 + | 6,668 € | 126,692 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 182-3295
- Référence fabricant:
- CY7C1049GN-10VXI
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- US
Détail produit
Le CY7C1049GN est un dispositif RAM statique rapide CMOS haute performance organisé en 512 K mots par 8 bits. L'écriture de données est effectuée en affirmant les entrées LOW d'activation par puce (CE) et d'accès en écriture (WE), tout en fournissant les données sur E/S0 à E/S7 et l'adresse sur A0 à A18. La lecture de données est effectuée en affirmant les entrées LOW d'activation par puce (CE) et d'activation de sortie (OE), tout en fournissant l'adresse requise sur les lignes d'adresse. Les données en lecture sont accessibles sur les lignes E/S (E/S0 à E/S7). Toutes les E/S (E/S0 à E/S7) sont placées dans un état de haute impédance pendant les événements suivants : L'appareil est désactivé (CE HIGH). Le signal de commande OE n'est pas affirmé.
Grande vitesse
tAA = 10 ns
Faibles courants actifs et de veille
Courant actif : ICC = 38 mA typique
Courant de veille : ISB2 = 6 mA typique
Plage de tension d'utilisation : 1,65 à 2,2 V, 2,2 à 3,6 V, et
4,5 à 5,5 V
Conservation des données 1 V
Entrées et sorties compatibles TTL
Boîtiers SOJ 36 broches et TSOP II 44 broches sans plomb
tAA = 10 ns
Faibles courants actifs et de veille
Courant actif : ICC = 38 mA typique
Courant de veille : ISB2 = 6 mA typique
Plage de tension d'utilisation : 1,65 à 2,2 V, 2,2 à 3,6 V, et
4,5 à 5,5 V
Conservation des données 1 V
Entrées et sorties compatibles TTL
Boîtiers SOJ 36 broches et TSOP II 44 broches sans plomb
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Taille mémoire | 4Mbit |
Configuration | 512k x 16 bits |
Nombre de mots | 512k |
Nombre de bits par mot | 8bit |
Temps d'accès aléatoire maximum | 10ns |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Type de timing | Asynchrone |
Type de montage | CMS |
Type de boîtier | SOJ |
Nombre de broches | 36 |
Dimensions | 0.93 x 0.4 x 0.12mm |
Hauteur | 0.12mm |
Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 5,5 V |
Longueur | 0.93mm |
Température d'utilisation maximum | +85 °C |
Largeur | 0.4mm |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 4,5 V |
Nos clients ont également consulté
- Puce mémoire SRAM Traversant Infineon 4Mbit 512 k x 8 bits SOJ 36 broches
- Puce mémoire SRAM CMS Infineon 4Mbit 256 k x 16 bits SOJ 44 broches
- Puce mémoire SRAM Infineon 4Mbit 512 K x 8
- Puce mémoire SRAM CMS Infineon 1Mbit 64 k x 16 bits SOJ 44 broches
- Puce mémoire SRAM CMS Infineon 4Mbit 256 K x 16 SOJ-44 44 broches
- SRAM CMS Infineon 1Mbit 128 k x 8 bits SOJ 32 broches
- SRAM CMS Infineon 256Kbit 32 K x 8 bits SOJ 28 broches
- Puce mémoire SRAM CMS Infineon 1Mbit 128 k x 8 bits SOJ 32 broches