SRAM Renesas Electronics 4 Mo TSOP 44 broches

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
250-0190
Référence fabricant:
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Marque:
Renesas Electronics
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Marque

Renesas Electronics

Taille de la mémoire

4Mo

Type de produit

SRAM

Nombre de mots

256K

Nombre de bits par mot

16

Temps d'accès aléatoire maximum

45ns

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Type de montage

En surface

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Type de Boitier

TSOP

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Nombre de broches

44

Longueur

18.41mm

Série

RMLV0416E

Largeur

10.16mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1mm

Standard automobile

Non

Courant d'alimentation

10mA

LPSRAM avancée 4 Mo (256 mots x 16 bits)


La série RMLV0416E est une famille de RAM statiques de 4 Mb organisés en 262, 144 mots x 16 bits, fabriqués avec les technologies LPSRAM avancées hautes performances de Renesas. La série RMLV0416E offre une densité plus élevée, des performances plus élevées et une faible consommation. La série RMLV0416E offre une faible dissipation de puissance en veille ; elle est donc adaptée aux systèmes de batterie de secours. Il est proposé dans un réseau de grille à billes TSOP (II) à 44 broches ou à 48 billes à pas fin.

Caractéristiques clés


  • Alimentation 3 V simple : 2,7 à 3,6 V

  • Temps d'accès : 45 ns (max.)

  • Consommation de courant : veille : 0,3 μA (typ.)

  • Accès égal et temps de cycle égal

  • Entrée et sortie de données communes, sortie à trois états

  • Toutes les entrées et sorties directement compatibles TTL

  • Fonctionnement de batterie de secours

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