SRAM Renesas Electronics 1 Mo 44 broches
- Code commande RS:
- 264-1297
- Référence fabricant:
- 71V016SA15PHG8
- Marque:
- Renesas Electronics
Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*
3 049,50 €
HT
3 660,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 2,033 € | 3 049,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 264-1297
- Référence fabricant:
- 71V016SA15PHG8
- Marque:
- Renesas Electronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Renesas Electronics | |
| Taille de la mémoire | 1Mo | |
| Type de produit | SRAM | |
| Nombre de mots | 64K | |
| Nombre de bits par mot | 16 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 20ns | |
| Tension d'alimentation minimum | 3V | |
| Type de timing | Asynchrone | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Type de montage | En surface | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Nombre de broches | 44 | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Série | IDT71V016 | |
| Largeur | 10.16mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 18.41mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Courant d'alimentation | 160mA | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Renesas Electronics | ||
Taille de la mémoire 1Mo | ||
Type de produit SRAM | ||
Nombre de mots 64K | ||
Nombre de bits par mot 16 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 20ns | ||
Tension d'alimentation minimum 3V | ||
Type de timing Asynchrone | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Type de montage En surface | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Nombre de broches 44 | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Série IDT71V016 | ||
Largeur 10.16mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 18.41mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Courant d'alimentation 160mA | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TW
La RAM statique haute vitesse de 1 048 576 bits de Renesas Electronics est organisée en 64 K x 16. Il est fabriqué à l'aide de la technologie CMOS haute performance et haute fiabilité. Cette technologie de pointe, combinée à des techniques de conception de circuit innovantes, fournit une solution économique pour les besoins de mémoire haute vitesse.
Faible consommation d'énergie via désélection de puce
Accès et temps de cycle égaux
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