SRAM ISSI 8 Mo TSOP 44 broches

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811-5223
Référence fabricant:
IS62WV51216BLL-55TLI
Marque:
ISSI
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Marque

ISSI

Taille de la mémoire

8Mo

Type de produit

SRAM

Nombre de mots

512K

Nombre de bits par mot

16

Temps d'accès aléatoire maximum

55ns

Largeur de bus d'adresse

19bit

Tension d'alimentation minimum

2.5V

Type de timing

Asynchrone

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Type de montage

Surface

Type de Boitier

TSOP

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Nombre de broches

44

Température d'utilisation maximum

85°C

Longueur

18.52mm

Série

IS62WV51216BLL

Normes/homologations

No

Hauteur

1.05mm

Courant d'alimentation

5mA

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TW

RAM statique, ISSI


Les RAM statiques ISSI utilisent une technologie CMOS très performante. La gamme de RAM statiques est très complète, avec notamment les SRAM asynchrones haut débit 5 V, les SRAM asynchrones haut débit faible consommation, les RAM statiques CMOS ultra-basse consommation et les SRAM asynchrones faible consommation PowerSaverTM. Les circuits SRAM ISSI sont proposés avec plusieurs tensions, taille de mémoire et organisations. Ils sont adaptés dans le cadre d'applications telles que la mémoire cache du processeur, les processeurs intégrés, les disques durs et les commutateurs pour l'électronique industrielle.

Alimentation 1,8 V / 3,3 V / 5 V

Boîtiers disponibles : BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP

Choix de configuration disponibles : x8 et x16

Fonction EEC disponible pour SRAM asynchrone haute vitesse

SRAM (Static Random Access Memory ou mémoire statique)


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