Microcontrôleur, 32 bit ARM Cortex-M7 Infineon, 350 MHz 1024kB SRAM 176 broches, TQFP

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Code commande RS:
260-1110
Référence fabricant:
XMC7200D-F176K8384AA
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Série

XMC7200

Type de produit

Microcontrôleur

Type de Boitier

TQFP

Nombre de broches

176

Cœur du circuit

ARM Cortex-M7

Largeur de bus de données

32bit

Taille de la mémoire programme

1024kB

Fréquence d'horloge maximum

350MHz

Taille de la RAM

32kB

Tension d'alimentation maximum

5.5V

Nombre d'E/S programmables

220

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Hauteur

1.5mm

Longueur

24mm

Normes/homologations

No

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Standard automobile

Non

Architecture de jeu d'instruction

RISC

Type de mémoire programme

SRAM

CAN

96 x 12 Bit

Microcontrôleur Infineon, mémoire de programme de 1024 Ko, fréquence maximale de 350 MHz - XMC7200D-F176K8384AA


Ce MOSFET haute performance d'Infineon est conçu pour être utilisé dans diverses applications de gestion de l'énergie. Doté d'un boîtier TO-220, il offre des performances robustes avec un courant de drain continu maximum de 50A et une tension drain-source maximum de 30V. Avec une faible résistance à l'enclenchement et une capacité de dissipation de puissance élevée, ce MOSFET garantit une efficacité optimale dans les systèmes électriques exigeants.

Caractéristiques et avantages


• La faible résistance drain-source (7,8 mΩ) réduit la perte de puissance et améliore l'efficacité opérationnelle

• La dissipation maximale de 68 W garantit un fonctionnement fiable dans des conditions de charge élevée

• La large plage de tension de seuil de grille (1V à 2,2V) offre un contrôle flexible pour différents niveaux de tension

• Stabilité thermique élevée avec une température de fonctionnement maximale de +175°C

• Conception en mode amélioration pour une commutation efficace et un contrôle précis du flux de courant

• La tolérance robuste de la tension grille-source (-20V à +20V) assure une protection contre les surtensions

• La configuration à un seul transistor est idéale pour les conceptions à espace limité

Applications


• Convient aux convertisseurs DC/DC et à l'alimentation électrique

• Utilisé dans le redressement synchrone pour améliorer l'efficacité du convertisseur

• Idéal pour la commande de moteurs dans les systèmes d'automatisation industrielle

• Utilisé dans les systèmes de gestion de la batterie des véhicules électriques

• Applicable aux systèmes d'énergie renouvelable et à l'électronique grand public

Quel est l'avantage de la faible résistance drain-source (RDS(on)) ?


Le faible RDS(on) minimise les pertes par conduction et la production de chaleur, ce qui améliore l'efficacité globale des systèmes de gestion de l'énergie et garantit que davantage d'énergie est convertie en travail utile au lieu d'être perdue sous forme de chaleur.

Comment le MOSFET gère-t-il une dissipation de puissance élevée ?


Avec une dissipation maximale de 68 W, l'appareil est conçu pour gérer une chaleur importante pendant le fonctionnement et maintenir la stabilité même dans des conditions exigeantes.

Quelle est la signification de la plage de tension de seuil de la porte ?


La large plage de tension de seuil de grille (1V à 2,2V) offre une grande flexibilité dans la conception des circuits, permettant au MOSFET de fonctionner efficacement avec différentes tensions de contrôle, ce qui le rend adapté à différentes applications nécessitant une gestion précise de la tension.

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