Microcontrôleur, 32 bit ARM Cortex-M7 Infineon, 350 MHz 1024kB SRAM 176 broches, TQFP

Code commande RS:: 260-1111
Référence fabricant:: XMC7200D-F176K8384AA
Marque:: Infineon

Microcontrôleur, 32 bit ARM Cortex-M7 Infineon, 350 MHz 1024kB SRAM 176 broches, TQFP

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Code commande RS:: 260-1111
Référence fabricant:: XMC7200D-F176K8384AA
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Série	XMC7200
	Type de produit	Microcontrôleur
	Type de Boitier	TQFP
	Nombre de broches	176
	Cœur du circuit	ARM Cortex-M7
	Largeur de bus de données	32bit
	Taille de la mémoire programme	1024kB
	Fréquence d'horloge maximum	350MHz
	Taille de la RAM	32kB
	Tension d'alimentation maximum	5.5V
	Nombre d'E/S programmables	220
	Température minimum de fonctionnement	-40°C
	Température d'utilisation maximum	125°C
	Normes/homologations	No
	Longueur	24mm
	Hauteur	1.5mm
	Largeur	24 mm
	Tension d'alimentation minimum	2.7V
	Standard automobile	Non
	Architecture de jeu d'instruction	RISC
	CAN	96 x 12 Bit
	Type de mémoire programme	SRAM

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Série XMC7200
	Type de produit Microcontrôleur
	Type de Boitier TQFP
	Nombre de broches 176
	Cœur du circuit ARM Cortex-M7
	Largeur de bus de données 32bit
	Taille de la mémoire programme 1024kB
	Fréquence d'horloge maximum 350MHz
	Taille de la RAM 32kB
	Tension d'alimentation maximum 5.5V
	Nombre d'E/S programmables 220
	Température minimum de fonctionnement -40°C
	Température d'utilisation maximum 125°C
	Normes/homologations No
	Longueur 24mm
	Hauteur 1.5mm
	Largeur 24 mm
	Tension d'alimentation minimum 2.7V
	Standard automobile Non
	Architecture de jeu d'instruction RISC
	CAN 96 x 12 Bit
	Type de mémoire programme SRAM

Microcontrôleur Infineon, mémoire de programme de 1024 Ko, fréquence maximale de 350 MHz - XMC7200D-F176K8384AA

Ce MOSFET haute performance d'Infineon est conçu pour être utilisé dans diverses applications de gestion de l'énergie. Doté d'un boîtier TO-220, il offre des performances robustes avec un courant de drain continu maximum de 50A et une tension drain-source maximum de 30V. Avec une faible résistance à l'enclenchement et une capacité de dissipation de puissance élevée, ce MOSFET garantit une efficacité optimale dans les systèmes électriques exigeants.

Caractéristiques et avantages

• La faible résistance drain-source (7,8 mΩ) réduit la perte de puissance et améliore l'efficacité opérationnelle

• La dissipation maximale de 68 W garantit un fonctionnement fiable dans des conditions de charge élevée

• La large plage de tension de seuil de grille (1V à 2,2V) offre un contrôle flexible pour différents niveaux de tension

• Stabilité thermique élevée avec une température de fonctionnement maximale de +175°C

• Conception en mode amélioration pour une commutation efficace et un contrôle précis du flux de courant

• La tolérance robuste de la tension grille-source (-20V à +20V) assure une protection contre les surtensions

• La configuration à un seul transistor est idéale pour les conceptions à espace limité

Applications

• Convient aux convertisseurs DC/DC et à l'alimentation électrique

• Utilisé dans le redressement synchrone pour améliorer l'efficacité du convertisseur

• Idéal pour la commande de moteurs dans les systèmes d'automatisation industrielle

• Utilisé dans les systèmes de gestion de la batterie des véhicules électriques

• Applicable aux systèmes d'énergie renouvelable et à l'électronique grand public

Quel est l'avantage de la faible résistance drain-source (RDS(on)) ?

Le faible RDS(on) minimise les pertes par conduction et la production de chaleur, ce qui améliore l'efficacité globale des systèmes de gestion de l'énergie et garantit que davantage d'énergie est convertie en travail utile au lieu d'être perdue sous forme de chaleur.

Comment le MOSFET gère-t-il une dissipation de puissance élevée ?

Avec une dissipation maximale de 68 W, l'appareil est conçu pour gérer une chaleur importante pendant le fonctionnement et maintenir la stabilité même dans des conditions exigeantes.

Quelle est la signification de la plage de tension de seuil de la porte ?

La large plage de tension de seuil de grille (1V à 2,2V) offre une grande flexibilité dans la conception des circuits, permettant au MOSFET de fonctionner efficacement avec différentes tensions de contrôle, ce qui le rend adapté à différentes applications nécessitant une gestion précise de la tension.