- Code commande RS:
- 273-2062
- Référence fabricant:
- EB2ED24103MTOBO1
- Marque:
- Infineon
En stock à partir du 19/08/2024, livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour la pièce
73,43 €
HT
88,12 €
TTC
Unité | Prix par unité |
1 - 1 | 73,43 € |
2 - 4 | 71,49 € |
5 - 9 | 69,66 € |
10 + | 67,92 € |
- Code commande RS:
- 273-2062
- Référence fabricant:
- EB2ED24103MTOBO1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
273-2062
Cette carte mère d'évaluation contient le driver de grille MOSFET 2ED2410-EM prêt pour ISO26262 avec protection de fil I-T ajustable pour la distribution d'alimentation automobile avec protection de fil I-T ajustable. Cette carte est adaptée aux réseaux de carte 12 et 24 V et contient le régulateur de chute de tension faible OPTIREGTM TLE4296GV50 pour fournir la tension d'alimentation numérique de 5 V sur cette carte. A l'aide d'un bouton-poussoir, le driver de grille peut être réinitialisé, par exemple d'un mode "Safestate" au mode "Idle" ou au mode "On". Cette carte peut être utilisée avec différentes cartes-filles, qui ont des dispositions MOSFET de puissance OptiMOSTM5 différentes avec et sans un chemin de précharge dédié conçu pour un canal de charge :
EB 2ED2410 3D 1BCS : MOSFET de puissance OptiMOSTM5 60 V (1,1 mOhm), back2back - source commune, shunt de 0,5 mOhm
EB 2ED2410 3D 1BCD : MOSFET de puissance OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), retour 2 - drain commun, shunt de 0,5 mOhm
MOSFET de puissance EB 2ED2410 3D 1BCSP : 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - source commune, shunt de 0,5 mOhm, avec précharge
EB 2ED2410 3D 1BCDP : MOSFET de puissance OptiMOSTM5 60 V (1,1 mOhm), back2back - drain commun, shunt de 0,5 mOhm, avec précharge
EB 2ED2410 3D 1BCD : MOSFET de puissance OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), retour 2 - drain commun, shunt de 0,5 mOhm
MOSFET de puissance EB 2ED2410 3D 1BCSP : 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm), back2back - source commune, shunt de 0,5 mOhm, avec précharge
EB 2ED2410 3D 1BCDP : MOSFET de puissance OptiMOSTM5 60 V (1,1 mOhm), back2back - drain commun, shunt de 0,5 mOhm, avec précharge
Résumé des caractéristiques
Adapté aux réseaux de carte 12 et 24 V
Combinaison avec différents transistors MOSFET et cartes-filles de shunt
Prise en charge des cartes-filles avec chemin de précharge dédié
Protection contre les surintensités avec seuils ajustables
Protection des fils I-T ajustable
LED d'indicateur
Possibilité de RESET
Combinaison avec différents transistors MOSFET et cartes-filles de shunt
Prise en charge des cartes-filles avec chemin de précharge dédié
Protection contre les surintensités avec seuils ajustables
Protection des fils I-T ajustable
LED d'indicateur
Possibilité de RESET
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Fonction de gestion de l'alimentation | Driver de MOSFET |
Pour être utilisé avec | Protection des fils ajustable |
Classification du kit | Carte d'évaluation |
Dispositif | Gate Driver, Power MOSFET |
Nom du kit | EB 2ED2410 3M |
- Code commande RS:
- 273-2062
- Référence fabricant:
- EB2ED24103MTOBO1
- Marque:
- Infineon
Nos clients ont également consulté
- Carte d'évaluation Driver de MOSFET Circuit d'alimentation à...
- Carte d'évaluation Driver de moteur Transistor MOS Gate Driver IC
- Carte d'évaluation Driver de moteur Driver de moteur BLDC Gate Driver, IGBT
- Carte d'évaluation IGBT, Driver MOSFET Transistor MOS Gate Driver IC
- Carte d'évaluation Driver de MOSFET Driver de MOSFET MOSFET
- Carte d'évaluation Hub Driver de grille Power MOSFET
- Carte d'évaluation Driver de MOSFET Guide de l'utilisateur des...
- Carte d'évaluation Driver de MOSFET Carte mère d'évaluation...