Références fabricant

MOSFET N Toshiba 400 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23

Code commande RS:: 171-2528
Référence fabricant:: T2N7002BK
Marque:: Toshiba

MOSFET N Toshiba 400 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23

Sous-total (1 paquet de 100 unités)*

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100 +	0,029 €	2,90 €

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Code commande RS:: 171-2528
Référence fabricant:: T2N7002BK
Marque:: Toshiba

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Toshiba
	Type de canal	Type N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	400mA
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	SOT-23
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.75Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	0.39nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	1W
	Tension directe Vf	-0.79V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	1.3mm
	Longueur	2.9mm
	Hauteur	0.9mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Toshiba
	Type de canal Type N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 400mA
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier SOT-23
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.75Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 0.39nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 1W
	Tension directe Vf -0.79V
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Largeur 1.3mm
	Longueur 2.9mm
	Hauteur 0.9mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: TH

Commutation haute vitesse

Niveau ESD(HBM) : 2 kV

Faible résistance de drain-source

RDS(ON) = 1,05 Ω (typ.) (@ VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (typ.) (@ VGS = 5 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (typ.) (@ VGS = 4,5 V)

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