MOSFET 1 canal N Simple Toshiba 3.5 A 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 171-2477
- Référence fabricant:
- SSM3K361R
- Marque:
- Toshiba
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,395 € | 9,88 € |
| 100 - 475 | 0,273 € | 6,83 € |
| 500 - 975 | 0,255 € | 6,38 € |
| 1000 + | 0,243 € | 6,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 171-2477
- Référence fabricant:
- SSM3K361R
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 92mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.4W | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Largeur | 1.8mm | |
| Hauteur | 0.7mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 92mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.4W | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Longueur 2.9mm | ||
Largeur 1.8mm | ||
Hauteur 0.7mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- TH
Commutateurs de gestion de l'alimentation
Convertisseurs DC-DC
MOSFET 175
Entraînement 4,5 V
Faible résistance de drain-source sous tension
RDS(ON) = 65 mΩ (typique) (à VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 51 mΩ (typ.) (à VGS = 10 V)
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