MOSFET 1 canal N Simple Toshiba 3.5 A 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 AEC-Q101

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Code commande RS:
171-2403
Référence fabricant:
SSM3K361R,LF(B
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

3.5A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

92mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

2.4W

Configuration du transistor

Simple

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

1.8mm

Longueur

2.9mm

Hauteur

0.7mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
TH
Commutateurs de gestion de l'alimentation

Convertisseurs DC-DC

MOSFET 175

Entraînement 4,5 V

Faible résistance de drain-source sous tension

RDS(ON) = 65 mΩ (typique) (à VGS = 4,5 V)

RDS(ON) = 51 mΩ (typ.) (à VGS = 10 V)

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