MOSFET canal N Toshiba 400 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23

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Code commande RS:
171-2411
Référence fabricant:
T2N7002BK
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

400mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-23

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.75Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-0.79V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

0.39nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1.3mm

Hauteur

900μm

Longueur

2.9mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH
Commutation haute vitesse

Niveau ESD(HBM) : 2 kV

Faible résistance de drain-source

RDS(ON) = 1,05 Ω (typ.) (@ VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (typ.) (@ VGS = 5 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (typ.) (@ VGS = 4,5 V)

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