MOSFET N Infineon 20 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 541-2470
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-41-337
- Référence fabricant:
- IRFI540NPBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 541-2470
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-41-337
- Référence fabricant:
- IRFI540NPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 52mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 54W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 94nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 8.9mm | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Longueur | 10.63mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 52mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 54W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 94nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 8.9mm | ||
Largeur 4.83mm | ||
Longueur 10.63mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 20A, dissipation de puissance maximale de 54W - IRFI540NPBF
Ce MOSFET est développé pour des applications de haute performance dans l'industrie électronique, jouant un rôle crucial dans la gestion de l'énergie et fournissant une solution fiable pour la commutation et l'amplification des signaux électroniques. Il peut gérer des charges de tension et de courant importantes, ce qui garantit l'efficacité des appareils électroniques modernes.
Caractéristiques et avantages
• Courant de vidange continu jusqu'à 20A
• Tension nominale de 100V pour une performance durable
• La faible tension de seuil de la grille améliore l'efficacité de la commutation
• Capacité de dissipation d'énergie élevée (jusqu'à 54 W) pour une plus grande durabilité
• Conception d'un mode d'amélioration à canal N pour une variété d'applications
• La faible résistance drain-source de 52 mΩ minimise la perte d'énergie
Applications
• Utilisé dans les alimentations de circuits électroniques
• Applicable aux systèmes de gestion de l'énergie dans l'industrie automobile
• Utilisé dans les systèmes de contrôle des moteurs pour une efficacité accrue
• Important pour la conversion d'énergie dans les systèmes d'énergie renouvelable
• Employé dans les machines automatisées pour des processus de contrôle efficaces
Quelle est l'intensité maximale du courant continu pour cet appareil ?
Le dispositif prend en charge un courant de drainage continu maximum de 20A, ce qui permet de répondre à diverses applications.
Comment la tension de seuil de la porte affecte-t-elle les performances ?
La tension de seuil de la grille est comprise entre 2 et 4 V, ce qui facilite une commutation efficace à des tensions de commande plus faibles et améliore les performances.
Cet appareil peut-il fonctionner dans des environnements à haute température ?
Oui, il peut fonctionner à des températures atteignant +175°C, ce qui garantit des performances dans des conditions difficiles.
Existe-t-il un type de montage spécifique recommandé pour une performance optimale ?
Il est adapté au montage en trou traversant, permettant des connexions sûres et une gestion thermique efficace dans différentes applications.
Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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