MOSFET P Infineon 230 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET AEC-Q101

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Code commande RS:
249-6870
Référence fabricant:
AUIRF6215
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

230A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Type de Boitier

TO-220

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.3V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Les MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon utilisent les dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance à l'enclenchement par surface de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de circuit robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un circuit extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans le secteur automobile et une grande variété d'autres applications.

Technologie planaire avancée

Faible résistance à l'allumage

Temps de fonctionnement dv/dt dynamique

Température de fonctionnement de 175 °C

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