MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET

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Code commande RS:
124-9004
Référence fabricant:
IRFB3607PBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Type de Boitier

TO-220

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

56nC

Dissipation de puissance maximum Pd

140W

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

9.02mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.82mm

Longueur

10.66mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MX

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