MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 210 A 75 V, 3 broches

Name: MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 210 A 75 V, 3 broches
Brand: Infineon
SKU: 913-3960
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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	210 A
Tension Drain Source maximum	75 V
Série	HEXFET
Type de boîtier	TO-220AB
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	3 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	370 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Longueur	10.66mm
Charge de Grille type @ Vgs	160 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Matériau du transistor	Si
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	4.82mm
Hauteur	9.02mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C