Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET

Code commande RS:: 688-6923
Référence fabricant:: IRFB3607PBF
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 80 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

4,74 €

5,69 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Dernier stock RS

95 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
25 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 21 octobre 2026

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 45	0,948 €	4,74 €
50 - 120	0,636 €	3,18 €
125 - 245	0,586 €	2,93 €
250 - 495	0,55 €	2,75 €
500 +	0,514 €	2,57 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 688-6923
Référence fabricant:: IRFB3607PBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	80A
	Tension Drain Source maximum Vds	75V
	Type de Boitier	TO-220
	Série	HEXFET
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	9mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	56nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Tension directe Vf	1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd	140W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	10.66mm
	Hauteur	9.02mm
	Largeur	4.82mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 80A
	Tension Drain Source maximum Vds 75V
	Type de Boitier TO-220
	Série HEXFET
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 9mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 56nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Tension directe Vf 1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd 140W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 10.66mm
	Hauteur 9.02mm
	Largeur 4.82mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Datasheet

S’identifier pour télécharger les modèles CAO 3D

Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon

MOSFET de commande moteur

Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.

MOSFET redresseur synchrone

La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.