MOSFET MOSFET onsemi 1 9 A, 8 broches 20V, SOIC-8 NB
- Code commande RS:
- 220-558
- Référence fabricant:
- NCP51752CDDR2G
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,374 € | 16,87 € |
| 50 - 95 | 3,208 € | 16,04 € |
| 100 - 495 | 2,968 € | 14,84 € |
| 500 - 995 | 2,732 € | 13,66 € |
| 1000 + | 2,63 € | 13,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 220-558
- Référence fabricant:
- NCP51752CDDR2G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant de sortie | 9A | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Temps de descente | 8.3ns | |
| Type de Boitier | SOIC-8 NB | |
| Nombre de sorties | 1 | |
| Type de driver | MOSFET | |
| Temps de montée | 22ns | |
| Tension d'alimentation minimum | 3V | |
| Nombre de drivers | 1 | |
| Tension d'alimentation maximum | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Largeur | 4mm | |
| Série | NCP51752 | |
| Normes/homologations | AEC-Q100-011, GB4943.1-2011, IEC 62386-1, UL1577 | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant de sortie 9A | ||
Nombre de broches 8 | ||
Temps de descente 8.3ns | ||
Type de Boitier SOIC-8 NB | ||
Nombre de sorties 1 | ||
Type de driver MOSFET | ||
Temps de montée 22ns | ||
Tension d'alimentation minimum 3V | ||
Nombre de drivers 1 | ||
Tension d'alimentation maximum 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Largeur 4mm | ||
Série NCP51752 | ||
Normes/homologations AEC-Q100-011, GB4943.1-2011, IEC 62386-1, UL1577 | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Longueur 5mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le circuit d'attaque de grille monocanal isolé de ON Semiconductor a un courant de crête de 4,5 A/9 A à la source et à la sortie respectivement. Ils sont conçus pour une commutation rapide afin de piloter des MOSFET de puissance et des commutateurs de puissance SiC MOSFET.
CMTI minimum de 200 V/ns dV/dt
Capacité de gestion des 5 V négatifs sur les broches d'entrée