AEC-Q100 MOSFET MOSFET onsemi 1 9 A, 8 broches 20V, SOIC-8 NB

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Code commande RS:
220-559
Référence fabricant:
NCV51752CDDR2G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Courant de sortie

9A

Nombre de broches

8

Type de Boitier

SOIC-8 NB

Temps de descente

8.3ns

Type de driver

MOSFET

Nombre de sorties

1

Temps de montée

22ns

Tension d'alimentation minimum

3V

Nombre de drivers

1

Tension d'alimentation maximum

20V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.75mm

Longueur

5mm

Normes/homologations

AEC-Q100, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), UL1577 (Planned), CQC GB4943.1-2011 (Planned)

Série

NCV51752

Largeur

6.2mm

Type de montage

En surface

Standard automobile

AEC-Q100

Pays d'origine :
PH
Le circuit d'attaque de grille monocanal isolé de ON Semiconductor a un courant de crête de 4,5 A/9 A à la source et à la sortie respectivement. Ils sont conçus pour une commutation rapide afin de piloter des MOSFET de puissance et des commutateurs de puissance SiC MOSFET.

CMTI minimum de 200 V/ns dV/dt

Capacité de gestion des 5 V négatifs sur les broches d'entrée

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