MOSFET et pilote IGBT haut début de puissance Commande de grille Infineon 1 130 mA, 8 broches 600V, SOIC

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Code commande RS:
217-7193
Référence fabricant:
IR25602STRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET et pilote IGBT haut début de puissance

Courant de sortie

130mA

Nombre de broches

8

Type de Boitier

SOIC

Temps de descente

90ns

Nombre de sorties

2

Type de driver

Commande de grille

Temps de montée

170ns

Tension d'alimentation minimum

10V

Tension d'alimentation maximum

600V

Nombre de drivers

1

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

5mm

Normes/homologations

JEDEC JESD 47

Largeur

4mm

Série

IR25602

Hauteur

1.75mm

Type de montage

En surface

Standard automobile

Non

Le CI de driver demi-pont Infineon 600 V avec une source typique de 0,21 A et des courants de dissipateur de 0,36 A dans un boîtier SOIC à 8 fils pour les IGBT et les MOSFET.

Canal flottant conçu pour fonctionnement d'amorçage

Entièrement opérationnel à +600 V

Tolérance aux tensions transitoires négatives

Immunité dV/dt

Plage d'alimentation de commande de grille 10 à 20 V

Verrouillage de sous-tension.

Compatible avec la logique d'entrée 3,3 V, 5 V et 15 V.

Circuit éliminant la Cross-conduction

Temps mort réglé en interne

Sortie haute puissance en phase avec entrée

L'entrée d'arrêt désactive les deux canaux

Temps de propagation adapté pour les deux canaux

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