Driver de MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1 50 A 4.25 → 16V, PQFN

L'étage de puissance intégré Infineon combine la technologie MOSFET basse tension la plus Advanced avec la dernière conception de driver. Cette intégration de la technologie de driver, de la technologie FET et de la technologie de boîtier démontre également la combinaison puissante des capacités Infineon et International Rectifier. Le temps mort de la garniture à double bord entraîne une amélioration significative du rendement Peak. La détection de courant RDS(on) MOSFET interne (via une connexion Kelvin GND dédiée) avec compensation de température intégrée permet d'obtenir une précision de détection de courant supérieure par rapport aux méthodes de détection DCR d'inductance.

Petit boîtier PQFN surmoulé 5 x 6 x 0,9 mm, pas de 0,45 mm
Rapports de courant extrêmement précis
Limite de courant constant programmable OCSET
Technologie de commutation rapide pour des performances améliorées à une fréquence plus élevée, un meilleur rendement Peak
Plage de tension d'entrée de 4,25 à 16 V.
Plage de tension de sortie de 0,25 à 5,5 V.
Capacité de courant de sortie de 50 A.
Fonctionnement jusqu'à 1,5 MHz
Optimisé pour un entraînement de 5 V.