Module IGBT IGBT onsemi 6.5 A, 8 broches 20V, SOIC
- Code commande RS:
- 221-6593
- Référence fabricant:
- NCD57080BDR2G
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 221-6593
- Référence fabricant:
- NCD57080BDR2G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant de sortie | 6.5A | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Temps de descente | 13ns | |
| Type de driver | IGBT | |
| Nombre de sorties | 5 | |
| Temps de montée | 13ns | |
| Tension d'alimentation minimum | 22V | |
| Tension d'alimentation maximum | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Longueur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4mm | |
| Série | NCD57080 | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Type de montage | En surface | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant de sortie 6.5A | ||
Nombre de broches 8 | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Temps de descente 13ns | ||
Type de driver IGBT | ||
Nombre de sorties 5 | ||
Temps de montée 13ns | ||
Tension d'alimentation minimum 22V | ||
Tension d'alimentation maximum 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Longueur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4mm | ||
Série NCD57080 | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Type de montage En surface | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor NCD57080B est un driver de grille IGBT à canal unique à courant élevé avec isolation galvanique interne de 3,75 kVRMS, conçu pour un haut rendement du système et une grande fiabilité dans les applications à haute puissance. Le dispositif accepte une entrée complémentaire et, selon la configuration de broche, offre des options telles que la pince Miller active, l'alimentation négative et une sortie de driver élevée et faible séparée pour plus de commodité de conception du système.
Immunité transitoire élevée
Haute immunité électromagnétique
Délais de propagation courts avec adaptation précise
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