Module driver IGBT NCD57090EDWR2G 6,5 A 20V, 8 broches, SOIC

La série on Semiconductor NCD57090E est un driver de grille IGBT à canal unique à courant élevé avec isolation galvanique interne de 5 kVRMS, conçu pour un haut rendement du système et une grande fiabilité dans les applications à haute puissance. Les dispositifs acceptent des entrées complémentaires et, selon la configuration de broche, offrent des options telles que l'Active Miller Clamp (NCD57090E). Le NCD57090E accepte une large gamme de tensions de polarisation d'entrée et de niveaux de signal de 3,3 à 20 V.

Améliore le rendement du système
Délais de propagation courts avec correspondance précise
Améliore l'intégrité du signal PWM
Immunité transitoire et électromagnétique élevée
Robustesse dans les applications de commutation haute tension et haute intensité à vitesse de balayage rapide
Isolation galvanique intégrée 5 kVRMS
Permet d'économiser du coût et de l'espace sur la carte tout en offrant des performances améliorées par rapport aux opto-drivers
Plages de tension de polarisation étendue et plage de tension d'entrée
Offre une flexibilité de conception de système et permet l'utilisation de rails de tension système généralement disponibles
Pince Miller active ou tension de porte négative ou sorties fendues
Offre un choix dans la sélection de la bonne fonction dans un boîtier compact