Références fabricant

MOSFET MOSFET Renesas Electronics 2 2 A, 8 broches 14V, SOIC

Code commande RS:: 238-0034
Référence fabricant:: HIP2101IBZT
Marque:: Renesas Electronics

MOSFET MOSFET Renesas Electronics 2 2 A, 8 broches 14V, SOIC

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

6 960,00 €

8 352,50 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	2,784 €	6 960,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 238-0034
Référence fabricant:: HIP2101IBZT
Marque:: Renesas Electronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Renesas Electronics
	Type de produit	MOSFET
	Courant de sortie	2A
	Nombre de broches	8
	Type de Boitier	SOIC
	Temps de descente	10ns
	Type de driver	MOSFET
	Nombre de sorties	2
	Temps de montée	500ns
	Tension d'alimentation minimum	9V
	Tension d'alimentation maximum	14V
	Nombre de drivers	2
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	4mm
	Longueur	5mm
	Série	HIP2101
	Hauteur	1.75mm
	Type de montage	En surface
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Renesas Electronics
	Type de produit MOSFET
	Courant de sortie 2A
	Nombre de broches 8
	Type de Boitier SOIC
	Temps de descente 10ns
	Type de driver MOSFET
	Nombre de sorties 2
	Temps de montée 500ns
	Tension d'alimentation minimum 9V
	Tension d'alimentation maximum 14V
	Nombre de drivers 2
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Largeur 4mm
	Longueur 5mm
	Série HIP2101
	Hauteur 1.75mm
	Type de montage En surface
	Standard automobile Non

Datasheet - HIP2101IBZT

Le CI du driver de puissance MOSFET à canal N HIP2101 de la marque Renesas Electronics est un CI de driver de puissance MOSFET à canal N demi-pont haute fréquence de 100 V. Il est équivalent au HIP2100 avec l'avantage supplémentaire des broches d'entrée logique entièrement compatibles avec les signaux TTL/CMOS. Contrairement à certains concurrents, la sortie haute puissance revient à son état correct après une sous-tension momentanée de l'alimentation haute puissance.

Entraîne un demi-pont MOSFET à canal N

Avec options de boîtier SOIC, EPSOIC, QFN et DFN

Tension d'alimentation d'amorçage max. jusqu'à 114 V c.c.

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