MOSFET MOSFET Renesas Electronics 2 2 A, 8 broches 14V, SOIC

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Code commande RS:
238-0035
Référence fabricant:
HIP2101IBZT
Marque:
Renesas Electronics
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Marque

Renesas Electronics

Type de produit

MOSFET

Courant de sortie

2A

Nombre de broches

8

Type de Boitier

SOIC

Temps de descente

10ns

Nombre de sorties

2

Type de driver

MOSFET

Temps de montée

500ns

Tension d'alimentation minimum

9V

Nombre de drivers

2

Tension d'alimentation maximum

14V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

5mm

Hauteur

1.75mm

Largeur

4mm

Normes/homologations

No

Série

HIP2101

Type de montage

En surface

Standard automobile

Non

Le CI du driver de puissance MOSFET à canal N HIP2101 de la marque Renesas Electronics est un CI de driver de puissance MOSFET à canal N demi-pont haute fréquence de 100 V. Il est équivalent au HIP2100 avec l'avantage supplémentaire des broches d'entrée logique entièrement compatibles avec les signaux TTL/CMOS. Contrairement à certains concurrents, la sortie haute puissance revient à son état correct après une sous-tension momentanée de l'alimentation haute puissance.

Entraîne un demi-pont MOSFET à canal N

Avec options de boîtier SOIC, EPSOIC, QFN et DFN

Tension d'alimentation d'amorçage max. jusqu'à 114 V c.c.

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