MOSFET MOSFET Infineon 9 A, 16 broches 6.5 V, DSO-16
- Code commande RS:
- 242-5807
- Référence fabricant:
- 1ED3491MU12MXUMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
2 844,00 €
HT
3 413,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,844 € | 2 844,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 242-5807
- Référence fabricant:
- 1ED3491MU12MXUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant de sortie | 9A | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Type de Boitier | DSO-16 | |
| Temps de descente | 15ns | |
| Type de driver | MOSFET | |
| Tension d'alimentation minimum | 6.5V | |
| Tension d'alimentation maximum | 6.5V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | DIN EN 60747-5-2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant de sortie 9A | ||
Nombre de broches 16 | ||
Type de Boitier DSO-16 | ||
Temps de descente 15ns | ||
Type de driver MOSFET | ||
Tension d'alimentation minimum 6.5V | ||
Tension d'alimentation maximum 6.5V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations DIN EN 60747-5-2 | ||
Standard automobile Non | ||
Le CI de driver de grille Infineon appartient à la famille EiceDRIVER Enhanced 1ED34xx (famille analogique X3). Le 1ED3491 offre une haute configurabilité avec DESAT (temps de filtre ajustable) et arrêt progressif (niveau de courant ajustable), via une résistance externe du côté entrée (broche ADJA et ADJB). Le CI de driver offre également une sortie séparée, une pince Miller active (pilote de pince pour MOSFET externe), une coupure de défaut et une surchauffe.
À utiliser avec les IGBT 650 V/1 200 V/1 700 V/2 300 V, les transistors MOSFET Si et SiC, tension d'offset fonctionnelle de
2 300 V capable pour les applications sélectionnées
±9 A typique, courant de sortie de crête de dissipation et de source,
tension d'alimentation de sortie maximale absolue de 40 V