Driver de MOSFET NCV57091BDWR2G 6,5 A 22V, 8 broches, SOIC

on Semiconductor Gate Driver est un driver de grille à canal double isolé avec une source de 4,5 A/9 A et un courant Peak de dissipateur respectivement. Ils sont conçus pour la commutation rapide des MOSFET de puissance de commande et des commutateurs d'alimentation MOSFET SiC. Le NCP51561 offre des délais de propagation courts et assortis. Deux isolations galvaniques internes indépendantes et 5 kVRMS de l'entrée à chaque sortie et une isolation fonctionnelle interne entre les deux drivers de sortie permettent une tension d'utilisation jusqu'à 1 500 V c.c. Ce driver peut être utilisé dans n'importe quelle configuration possible de deux commutateurs basse puissance, deux commutateurs haute puissance ou un driver demi-pont avec temps mort programmable. Une broche ENA/DIS se déclenche simultanément sur les deux sorties lorsqu'elle est réglée respectivement sur le mode d'activation ou de non-activation. Le NCP51561 offre d'autres fonctions de protection importantes telles que le verrouillage indépendant de sous-tension pour les drivers de grille et une fonction de réglage de temps mort.

Source Peak 4,5 A, capacité de courant de sortie Peak Sink 9 A.
Flexible : double driver de porte haute ou demi-pont, basse puissance
Protections UVLO indépendantes pour les deux drivers de sortie
Tension d'alimentation de sortie de 6,5 à 30 V avec 5 V et 8 V pour MOSFET, 13 V et 17 V UVLO pour SiC, seuils.
Immunité transitoire à mode commun CMTI > 200 V/ns
Temps de propagation typique de 36 ns avec correspondance de temporisation maximale de 5 ns par canal et distorsion de largeur d'impulsion max. de 5 ns
Modes d'entrée simple ou double programmables par l'utilisateur via ANB et mode d'activation ou de commande
Temps mort programmable par l'utilisateur