Relais statique Panasonic PhotoMOS SPST, En surface, 350 V, 0.4 A
- Code commande RS:
- 205-6854
- Référence fabricant:
- AQV210EA
- Marque:
- Panasonic
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,054 € | 152,70 € |
| 100 - 100 | 2,969 € | 148,45 € |
| 150 + | 2,888 € | 144,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 205-6854
- Référence fabricant:
- AQV210EA
- Marque:
- Panasonic
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Panasonic | |
| Courant de charge maximal | 0.4A | |
| Type de produit | Relais statique | |
| Type de montage | En surface | |
| Tension de charge maximale | 350V | |
| Tension de charge minimale | 280V | |
| Série | PhotoMOS | |
| Type de terminaison | Traversant | |
| Configuration de contact | SPST | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Fonction de commutation | Commutation c.a./c.c. | |
| Résistance d'état sous tension | 35Ω | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Capacitance | 1.5pF | |
| Courant de fuite à l'état bloqué | 1μA | |
| Type de sortie | MOSFET | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Panasonic | ||
Courant de charge maximal 0.4A | ||
Type de produit Relais statique | ||
Type de montage En surface | ||
Tension de charge maximale 350V | ||
Tension de charge minimale 280V | ||
Série PhotoMOS | ||
Type de terminaison Traversant | ||
Configuration de contact SPST | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Fonction de commutation Commutation c.a./c.c. | ||
Résistance d'état sous tension 35Ω | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Capacitance 1.5pF | ||
Courant de fuite à l'état bloqué 1μA | ||
Type de sortie MOSFET | ||
- Pays d'origine :
- JP
Type Panasonic DIP6 broches.
Isolation renforcée des E/S.
Tension d'isolation 5 000 V (type d'isolation renforcée)
Commande les signaux analogiques de bas niveau - la fonction MOS photo est dotée d'un très faible circuit fermé Tension de décalage pour permettre le contrôle
Signaux analogiques de bas niveau sans distorsion.
Résistance stable
Courant de fuite d'état d'arrêt de bas niveau de max. 1 μA
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