SDRAM Alliance Memory, 1 Mo Broche 16 bit 85 °C -40 °C 44 broches, 44 broches 400 mil TSOP II
- Code commande RS:
- 425-231
- Référence fabricant:
- AS6CE1016A-45ZINTR
- Marque:
- Alliance Memory
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
3 087,00 €
HT
3 704,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,087 € | 3 087,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 425-231
- Référence fabricant:
- AS6CE1016A-45ZINTR
- Marque:
- Alliance Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | |
| Taille de la mémoire | 1Mo | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Configuration | 64K x 16 bits | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Nombre de bits par mot | 16 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 45ns | |
| Type de montage | Broche | |
| Type de Boitier | 44 broches 400 mil TSOP II | |
| Nombre de broches | 44 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Série | AS6CE1016A | |
| Longueur | 12.014mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 18.618mm | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Alliance Memory | ||
Taille de la mémoire 1Mo | ||
Type de produit SDRAM | ||
Configuration 64K x 16 bits | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Nombre de bits par mot 16 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 45ns | ||
Type de montage Broche | ||
Type de Boitier 44 broches 400 mil TSOP II | ||
Nombre de broches 44 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Série AS6CE1016A | ||
Longueur 12.014mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 18.618mm | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TW
La SRAM Alliance Memory de 1 Mo à basse consommation avec ECC dans une configuration 64 K x 16, avec une plage de tension de fonctionnement comprise entre 2,7 V et 3,6 V et une matrice de qualité industrielle A, est logée dans un boîtier TSOP II 44 broches et fourni dans un emballage en bande et en bobine.
Tension d'alimentation minimale de 3,6 V
Tension d'alimentation maximale de 2,7 V
Courant de lecture actif maximal de 20 mA