SDRAM Alliance Memory, 64 Mo En surface 16 bit 70 °C 0 °C 66 broches, TSOP II
- Code commande RS:
- 842-634
- Référence fabricant:
- AS4C32M16D1A-5TCN
- Marque:
- Alliance Memory
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,18 € |
| 10 - 24 | 9,44 € |
| 25 - 49 | 9,17 € |
| 50 - 107 | 8,95 € |
| 108 + | 8,53 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 842-634
- Référence fabricant:
- AS4C32M16D1A-5TCN
- Marque:
- Alliance Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | |
| Taille de la mémoire | 64Mo | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Configuration | 32 Mb x 16 bits | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Nombre de bits par mot | 16 | |
| Fréquence d'horloge maximum | 200MHz | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 0.7ns | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | TSOP II | |
| Température minimum de fonctionnemen | 0°C | |
| Nombre de broches | 66 | |
| Température d'utilisation maximum | 70°C | |
| Longueur | 22.22mm | |
| Série | AS4C32M16D1A | |
| Standard automobile | Non | |
| Tension d'alimentation maximum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.3V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Alliance Memory | ||
Taille de la mémoire 64Mo | ||
Type de produit SDRAM | ||
Configuration 32 Mb x 16 bits | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Nombre de bits par mot 16 | ||
Fréquence d'horloge maximum 200MHz | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 0.7ns | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier TSOP II | ||
Température minimum de fonctionnemen 0°C | ||
Nombre de broches 66 | ||
Température d'utilisation maximum 70°C | ||
Longueur 22.22mm | ||
Série AS4C32M16D1A | ||
Standard automobile Non | ||
Tension d'alimentation maximum 2.7V | ||
Tension d'alimentation minimum 2.3V | ||
- Pays d'origine :
- TW
La DRAM synchrone DDR Alliance Memory offre un accès rapide aux données et un fonctionnement efficace de la mémoire dans divers systèmes électroniques.
La fréquence d'horloge rapide de 200 MHz améliore la vitesse de la mémoire
Prend en charge les deux entrées d'horloge différentielle pour un transfert de données stable
L'architecture de mémoire comprend quatre banques internes pour une efficacité accrue
Offre des options de latence CAS programmables pour une synchronisation optimisée de la lecture