SDRAM AEC-Q100 Intelligent Memory, 64 Mo En surface 16 bit 85 °C -40 °C 90 broches, FBGA
- Code commande RS:
- 588-605
- Référence fabricant:
- IM6432SDBATG-6I
- Marque:
- Intelligent Memory
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 588-605
- Référence fabricant:
- IM6432SDBATG-6I
- Marque:
- Intelligent Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Intelligent Memory | |
| Taille de la mémoire | 64Mo | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Largeur de bus d'adresse | 11bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 166MHz | |
| Nombre de bits par mot | 32 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 6ns | |
| Nombre de mots | 2 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | FBGA | |
| Nombre de broches | 90 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Longueur | 13mm | |
| Série | IM6432SDBA | |
| Largeur | 11mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Tension d'alimentation minimum | 3V | |
| Courant d'alimentation | 200mA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Intelligent Memory | ||
Taille de la mémoire 64Mo | ||
Type de produit SDRAM | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Largeur de bus d'adresse 11bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 166MHz | ||
Nombre de bits par mot 32 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 6ns | ||
Nombre de mots 2 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier FBGA | ||
Nombre de broches 90 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Longueur 13mm | ||
Série IM6432SDBA | ||
Largeur 11mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Tension d'alimentation minimum 3V | ||
Courant d'alimentation 200mA | ||
- Pays d'origine :
- TW
La DRAM synchrone à quatre banques Intelligent Memory est organisée en 4 banques x 512 Kbit x 32. Elle atteint des taux de transfert de données élevés jusqu'à 166 MHz en employant une architecture de puce qui pré-extrait plusieurs bits et synchronise les données de sortie avec l'horloge du système, ce qui garantit des performances rapides et fiables.
Mode mise hors tension
Rafraîchissement automatique et auto-rafraîchissement
Commande de précharge automatique et contrôlée