SDRAM AEC-Q100 Intelligent Memory, 1 Go En surface 16 bit 95 °C -40 °C 96 broches, FBGA-96 billes
- Code commande RS:
- 588-643
- Référence fabricant:
- IME1G16D3EEBG-15EI
- Marque:
- Intelligent Memory
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 588-643
- Référence fabricant:
- IME1G16D3EEBG-15EI
- Marque:
- Intelligent Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Intelligent Memory | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Taille de la mémoire | 1Go | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Nombre de bits par mot | 72 | |
| Fréquence d'horloge maximum | 800MHz | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 1.25ns | |
| Nombre de mots | 16777216 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | FBGA-96 billes | |
| Nombre de broches | 96 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 95°C | |
| Normes/homologations | JEDEC, RoHS | |
| Série | IME1G(08/16)D3EEB | |
| Longueur | 10.5mm | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.425V | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.575V | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Intelligent Memory | ||
Type de produit SDRAM | ||
Taille de la mémoire 1Go | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Nombre de bits par mot 72 | ||
Fréquence d'horloge maximum 800MHz | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 1.25ns | ||
Nombre de mots 16777216 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier FBGA-96 billes | ||
Nombre de broches 96 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 95°C | ||
Normes/homologations JEDEC, RoHS | ||
Série IME1G(08/16)D3EEB | ||
Longueur 10.5mm | ||
Tension d'alimentation minimum 1.425V | ||
Tension d'alimentation maximum 1.575V | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
- Pays d'origine :
- TW
La DRAM Double Data Rate (DDR) Intelligent Memory offre une plus grande densité de modules, des vitesses de transmission de données plus rapides et des exigences de tension plus faibles par rapport aux dispositifs DDR3. Elle prend également en charge le masquage des données par octet sur les commandes d'écriture, ce qui améliore la gestion et la fiabilité des données.
Longueur de rafale et latence CAS programmables
Rafraîchissement automatique et auto-rafraîchissement
Ajustement de l'écriture
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