SDRAM AEC-Q100 Intelligent Memory, 1 GB Surface 16 bit 95 °C -40 °C 78 broches, FBGA-78 billes
- Code commande RS:
- 588-649
- Référence fabricant:
- IME1G08D3EEBG-15EI
- Marque:
- Intelligent Memory
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 588-649
- Référence fabricant:
- IME1G08D3EEBG-15EI
- Marque:
- Intelligent Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Intelligent Memory | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Taille de la mémoire | 1GB | |
| Configuration | 16M x 8 | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 800MHz | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 1.25ns | |
| Nombre de mots | 16777216 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | FBGA-78 billes | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Nombre de broches | 78 | |
| Température d'utilisation maximum | 95°C | |
| Longueur | 10.5mm | |
| Série | IME1G(08/16)D3EEB | |
| Normes/homologations | RoHS, JEDEC | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.425V | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.575V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Intelligent Memory | ||
Type de produit SDRAM | ||
Taille de la mémoire 1GB | ||
Configuration 16M x 8 | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 800MHz | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 1.25ns | ||
Nombre de mots 16777216 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier FBGA-78 billes | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Nombre de broches 78 | ||
Température d'utilisation maximum 95°C | ||
Longueur 10.5mm | ||
Série IME1G(08/16)D3EEB | ||
Normes/homologations RoHS, JEDEC | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Tension d'alimentation minimum 1.425V | ||
Tension d'alimentation maximum 1.575V | ||
- Pays d'origine :
- TW
La DRAM Double Data Rate (DDR) Intelligent Memory offre une plus grande densité de modules, des vitesses de transmission de données plus rapides et des exigences de tension plus faibles par rapport aux dispositifs DDR3. Elle prend également en charge le masquage des données par octet sur les commandes d'écriture, ce qui améliore la gestion et la fiabilité des données.
Longueur de rafale et latence CAS programmables
Rafraîchissement automatique et auto-rafraîchissement
Ajustement de l'écriture
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