SDRAM AEC-Q100 Intelligent Memory, 4 GB Surface 16 bit 95 °C -40 °C 78 broches, FBGA-78 billes
- Code commande RS:
- 588-646
- Référence fabricant:
- IM4G08D3FDBG-107I
- Marque:
- Intelligent Memory
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- Code commande RS:
- 588-646
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- IM4G08D3FDBG-107I
- Marque:
- Intelligent Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Intelligent Memory | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Taille de la mémoire | 4GB | |
| Configuration | 64M x 8 | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 1066MHz | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 1.25ns | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | FBGA-78 billes | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Nombre de broches | 78 | |
| Température d'utilisation maximum | 95°C | |
| Série | IM4G(04/08)D3FDB | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 7.5 mm | |
| Longueur | 10.6mm | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.283V | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.45V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Intelligent Memory | ||
Type de produit SDRAM | ||
Taille de la mémoire 4GB | ||
Configuration 64M x 8 | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 1066MHz | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 1.25ns | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier FBGA-78 billes | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Nombre de broches 78 | ||
Température d'utilisation maximum 95°C | ||
Série IM4G(04/08)D3FDB | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 7.5 mm | ||
Longueur 10.6mm | ||
Tension d'alimentation minimum 1.283V | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Tension d'alimentation maximum 1.45V | ||
- Pays d'origine :
- TW
La DRAM Double Data Rate (DDR) Intelligent Memory offre une plus grande densité de modules, des vitesses de transmission de données plus rapides et des exigences de tension plus faibles par rapport aux dispositifs DDR3. Elle prend également en charge le masquage des données par octet sur les commandes d'écriture, ce qui améliore la gestion et la fiabilité des données.
Longueur de rafale et latence CAS programmables
Rafraîchissement automatique et auto-rafraîchissement
Ajustement de l'écriture
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