SDRAM AEC-Q100 Intelligent Memory, 8 Go Surface 16 bit 95 °C -40 °C 78 broches, FBGA-78 billes
- Code commande RS:
- 588-648
- Référence fabricant:
- IM8G08D3FFBG-107I
- Marque:
- Intelligent Memory
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 588-648
- Référence fabricant:
- IM8G08D3FFBG-107I
- Marque:
- Intelligent Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Intelligent Memory | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Taille de la mémoire | 8Go | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Largeur de bus d'adresse | 16bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 933MHz | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 1.07ns | |
| Nombre de mots | 128 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | FBGA-78 billes | |
| Nombre de broches | 78 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 95°C | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Longueur | 10.6mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.45V | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.283V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Intelligent Memory | ||
Type de produit SDRAM | ||
Taille de la mémoire 8Go | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Largeur de bus d'adresse 16bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 933MHz | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 1.07ns | ||
Nombre de mots 128 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier FBGA-78 billes | ||
Nombre de broches 78 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 95°C | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Longueur 10.6mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Tension d'alimentation maximum 1.45V | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Tension d'alimentation minimum 1.283V | ||
- Pays d'origine :
- TW
La DRAM Double Data Rate (DDR) Intelligent Memory offre une plus grande densité de modules, des vitesses de transmission de données plus rapides et des exigences de tension plus faibles par rapport aux dispositifs DDR3. Elle prend également en charge le masquage des données par octet sur les commandes d'écriture, ce qui améliore la gestion et la fiabilité des données.
Longueur de rafale et latence CAS programmables
Rafraîchissement automatique et auto-rafraîchissement
Ajustement de l'écriture
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