SDRAM ISSI, 128 Mo En surface 32 bit 85 °C -40 °C 90 broches, BGA

La SDRAM ISSI 128 Mo est une mémoire CMOS à accès aléatoire dynamique haute vitesse conçue pour fonctionner dans les systèmes de mémoire 3,3 V VDD et 3,3 V VDDQ contenant 134 217 728 bits. Configuré en interne comme une DRAM quad-banque avec une interface synchrone. Chaque banque de 33 554 432 bits est organisée en 4 096 rangées par 256 colonnes par 32 bits. Tous les signaux sont enregistrés sur le bord positif du signal d'horloge, CLK. Toutes les entrées et sorties sont compatibles LVTTL. La SDRAM de 128 Mo est dotée de la capacité d'extraction synchrone de données à un débit de données élevé avec la génération automatique d'adresses de colonne, de la capacité d'interlacer entre les banques internes pour masquer le temps de recharge et de la capacité de changer aléatoirement les adresses de colonne sur chaque cycle d'horloge pendant l'accès à la rafale.

Rafraîchissement automatique (CBR)