SDRAM, W949D6DBHX5I, 512Mbit, 200MHz, 1,7 à 1,95 V, VFBGA 60 broches LPDDR
- Code commande RS:
- 188-2578
- Référence fabricant:
- W949D6DBHX5I
- Marque:
- Winbond
Sous-total (1 plateau de 312 unités)*
1 002,456 €
HT
1 203,072 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 312 + | 3,213 € | 1 002,46 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 188-2578
- Référence fabricant:
- W949D6DBHX5I
- Marque:
- Winbond
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | |
| Taille mémoire | 512Mbit | |
| Classe SDRAM | LPDDR | |
| Configuration | 64 Mb x 8 bits | |
| Débit de données | 200MHz | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Largeur de bus d'adresse | 15bit | |
| Nombre de bits par mot | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 5ns | |
| Nombre de mots | 64M | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | VFBGA | |
| Nombre de broches | 60 | |
| Dimensions | 9.1 x 8.1 x 0.65mm | |
| Hauteur | 0.65mm | |
| Longueur | 9.1mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 1,7 V | |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 1,95 V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Winbond | ||
Taille mémoire 512Mbit | ||
Classe SDRAM LPDDR | ||
Configuration 64 Mb x 8 bits | ||
Débit de données 200MHz | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Largeur de bus d'adresse 15bit | ||
Nombre de bits par mot 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 5ns | ||
Nombre de mots 64M | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier VFBGA | ||
Nombre de broches 60 | ||
Dimensions 9.1 x 8.1 x 0.65mm | ||
Hauteur 0.65mm | ||
Longueur 9.1mm | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Température d'utilisation maximum +85 °C | ||
Largeur 8.1mm | ||
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum 1,7 V | ||
Tension d'alimentation fonctionnement maximum 1,95 V | ||
Il s'agit d'une SDRAM DDR à faible consommation de 512 Mo organisée en 4 mots x 4 banques x 16 bits.
Type de rafale : séquentiel ou entrelacé
Mode autoactualisation standard
PASR, ATCSR, mode de mise hors tension, DPD
Force d'entraînement de mémoire tampon à sortie programmable
Quatre rangées internes pour un fonctionnement simultané
Strobe de données bidirectionnel (DQS, Bidirectional data strobe) transmis et reçu avec des données, pour être utilisé dans la capture de données au niveau du récepteur
Mode autoactualisation standard
PASR, ATCSR, mode de mise hors tension, DPD
Force d'entraînement de mémoire tampon à sortie programmable
Quatre rangées internes pour un fonctionnement simultané
Strobe de données bidirectionnel (DQS, Bidirectional data strobe) transmis et reçu avec des données, pour être utilisé dans la capture de données au niveau du récepteur
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