SDRAM, AS4C32M16SB-7TIN, 512Mbit, 200MHz, 3 à 3,6 V, TSOP 54 broches DDR
- Code commande RS:
- 230-8428
- Référence fabricant:
- AS4C32M16SB-7TIN
- Marque:
- Alliance Memory
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 13,82 € |
| 10 - 24 | 12,82 € |
| 25 - 49 | 12,61 € |
| 50 - 74 | 12,48 € |
| 75 + | 12,24 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 230-8428
- Référence fabricant:
- AS4C32M16SB-7TIN
- Marque:
- Alliance Memory
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | |
| Taille mémoire | 512Mbit | |
| Configuration | 32 M x 16 | |
| Classe SDRAM | DDR | |
| Débit de données | 200MHz | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Largeur de bus d'adresse | 13bit | |
| Nombre de bits par mot | 16bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 5.4ns | |
| Nombre de mots | 32 M | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | TSOP | |
| Nombre de broches | 54 | |
| Dimensions | 22.35 x 10.29 x 1.2mm | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Longueur | 22.35mm | |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C | |
| Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 3 V | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 3,6 V | |
| Largeur | 10.29mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Alliance Memory | ||
Taille mémoire 512Mbit | ||
Configuration 32 M x 16 | ||
Classe SDRAM DDR | ||
Débit de données 200MHz | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Largeur de bus d'adresse 13bit | ||
Nombre de bits par mot 16bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 5.4ns | ||
Nombre de mots 32 M | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier TSOP | ||
Nombre de broches 54 | ||
Dimensions 22.35 x 10.29 x 1.2mm | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Longueur 22.35mm | ||
Température d'utilisation maximum +85 °C | ||
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum 3 V | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Tension d'alimentation fonctionnement maximum 3,6 V | ||
Largeur 10.29mm | ||
La mémoire SDRAM Alliance Memory de 512 Mo est une DRAM synchrone CMOS haut débit contenant 512 Mbits. Il est configuré en interne sous la forme de 4 blocs de 8 m de DRAM x 16 avec une interface synchrone (tous les signaux sont enregistrés sur le bord positif du signal d'horloge, CLK). Les accès en lecture et en écriture à la SDRAM sont orientés vers la rafale
Accès au démarrage à un emplacement sélectionné et poursuite pour un nombre programmé d'emplacements dans une séquence programmée. Les accès commencent par l'enregistrement d'une commande Bank Activate qui est ensuite suivie d'une commande Read ou Write.
Actualisation automatique et actualisation automatique
8192 cycles de rafraîchissement/64 ms
Mode de mise hors tension CKE
Alimentation simple +3,3 V ±0,3 V.
8192 cycles de rafraîchissement/64 ms
Mode de mise hors tension CKE
Alimentation simple +3,3 V ±0,3 V.
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